今年是中国共产党成立90周年，是“十二五”开局和“创新2020”启动实施之年。为深入开展创先争优活动，激发各党支部创建“五个好”先进基层党组织、共产党员争做“五带头”优秀共产党员的积极性和主动性，在全所掀起学先进、争先进、做先进的热潮，所党委在建党90周年之际，授予了16名共产党员“创先争优之星”荣誉称号，其中7人获“科研之星”称号，4人获“青年之星”称号。

我室的祝宁华研究员、赵德刚研究员经光电支部推荐，获得了“科研之星”称号。在此向他们表示祝贺，同时希望我室各位同仁以他们为榜样，敢于创新、勇于拼搏、勤奋工作、团结协作，为“十二五”和“创新2020”作出新的贡献！

附：

祝宁华

个人简介：研究员、所长助理，1959年12月出生，1984年6月入党，1982年1月参加工作。
主要事迹（由光电党支部推荐）
祝宁华研究员在半导体所工作期间，无论是在科研还是其它方面都取得了优异的成绩，是一名优秀的科研工作者。作为一名共产党员，祝宁华研究员在各个方面都发挥了优秀的科研能力、工作能力和领导能力，起到了很好的先锋模范作用。
祝宁华研究员是半导体研究所引进的第一位“百人计划”优秀人才，在半导体所工作期间，一直从事着微波光子学方面的研究工作，作为第一作者在IEEE JQE，IEEE PTL, IEEE MTT和OQE等国外知名刊物上发表论文四十多篇。先后培养了 3 名博士后和 19 名博士。主持 863，973课题，香港研究基金，基金重点等国家级项目 19项。发表 SCI论文 88篇，申请发明专利 46项。出版专著《光电子器件微波封装与测试》和《光纤光学前沿》。1999年获中科院自然科学奖三等奖一项（排名第一）。在863项目“光子集成技术与系统应用”和创新群体基金等项目中，他充分调动各成员课题组的相互协调工作，调动各方面积极性组织科研工作进行深入的研究。
除了正常的工作时间外，他还会抓住一切可利用的时间来思考，在食堂， 在路上，在家中，都常有新的科研思想产生。他还善于用生活中的事例来活现一些科学现象，用自然中的现象来反思一些科研难题。辛勤的工作和正确的方法为他带来了显著的科研成果，为该领域的科学研究作出了贡献。
虽然祝宁华研究员醉心于科研，但也不曾忽略对学生的培养。任何行业的希望都在于新兴力量的支持，祝宁华研究员同样深知这点。因此除了以自身行为为学生树立榜样外，他还经常与其就难点问题进行讨论，引导启发其创造思维，拓展其思考能力，从而真正达到“授之以渔”的目的。作为一名长者，祝宁华研究员还在生活方面给予学生细心的照顾。他介绍自己的生活经验，帮助学生排解科研中产生的烦躁心情，以自己的博闻和幽默与学生建立起良好的关系，成为学生们的良师益友。除此之外，祝宁华研究员还积极参加所内的各项工作。曾任半导体所图书信息中心主任，现任半导体所所长助理，主管学生管理工作，现担任研究生党总支书记，为学生们在科研和生活方面提供了很大的便利。

他认为“创先争优”就是：创建先进基层党组织，争做优秀共产党员。

 

赵德刚

个人简介：研究员，1972年9月出生，1993年5月入党，2000年7月参加工作。
主要事迹（由光电党支部推荐）
赵德刚研究员是2009年度国家杰出青年科学基金获得者。1994年、1997年在电子科技大学微电子科学与工程系分别获得学士、硕士学位，2000年在中国科学院半导体研究所获得博士学位。博士毕业后留所工作，主要从事氮化镓（GaN）基光电子材料生长与器件研究，特别是对GaN基紫外探测器的材料生长机理、材料物理及器件物理有较深入的理解和认识。先后研制出高性能的GaN基紫外探测器单元器件、面阵和紫外APD探测器，同时也为实现我国第一支GaN基激光器做出了贡献。主持和承担了国家863、973、自然科学基金等多个项目，在Appl. Phys. Lett.、J. Appl. Phys.等著名学术刊物上发表SCI论文100多篇，国家授权发明专利7项，撰写中文、英文专著各一章。
赵德刚同志在政治上一贯坚持党的领导， 努力学习马克思主义理论、毛泽东思想、邓小平理论和三个代表重要思想，在实际的科研工作中坚决贯彻科学发展观，指导实际的科研工作，并在氮化镓（GaN）基光电子材料与器件的研究方面取得了一些学术成绩，具体如下：
在GaN材料方面，深入研究了缓冲层原理，创造出一种独特的生长方法，生长出高质量的GaN材料，室温下电子迁移率超过1000 cm2/Vs，这是目前国际上报道的最好结果之一；研究了Al原子寄生反应机制，找到了控制寄生反应的方法，生长出高质量的AlGaN、AlN材料；发现室温下GaN材料的应力状态主要取决于外延层和衬底之间的热失配，还发现GaN材料中的“黄光缺陷”与刃位错紧密相关，并初步建立了GaN的光学、电学、结构性质的关系。
在GaN器件方面，发明了几种紫外探测器新结构，设计出能够监测紫外波长的新型器件，还创新性地提出了利用紫外探测器的响应光谱对p-GaN载流子浓度进行测量的新方法；研究了器件工艺技术，相继制备出高性能的GaN基紫外探测器单元器件、面阵以及紫外APD雪崩探测器，并揭示了点缺陷对器件的影响机理；解决了GaN、p-AlGaN的一些生长难点，为实现我国第一支GaN基激光器做出了贡献。

他认为“创先争优”就是：学习科学的政治理论，做好实际的科研工作。