实验室概况
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实验室介绍

时间:2008-03-27

光电子研发中心主要由集成光电子学国家重点实验室半导体所实验区所组成。集成光电子学国家重点实验室在科技部组织的历次评估与总结活动中均名列前茅,在2002年、2007、和2012年信息类国家重点实验室评估中被评为优秀类实验室。

实验室重点研究基于半导体光电子材料、低维纳米结构材料的新型光电子器件以及集成器件,特别是具有应用导向的新型光子功能器件。设有硅基光电子器件与集成,硅基光波导器件,GaN基光电器件,微波光电子器件,特殊腔结构光电器件,微/光电子集成器件,以及半导体光电子功能集成部件研究组。实验室既有老一辈德高望重的半导体光电子学家,包括王启明院士和梁骏吾院士,还有许多年富力强的科研带头人,如国家杰出青年科学基金获得者祝宁华、黄永箴、赵德刚、刘建国、杨林研究员等,国家重点研发计划重点专项总体专家组专家祝宁华、陈弘达研究员等。

针对国家信息光电子技术发展的重大需求,紧紧围绕集成光电子学的关键科学和技术问题,研究方向定位于: 重点研究基于半导体光电子材料、微纳光电子材料的各种新型光电子器件以及光子集成器件和芯片,研究上述器件及芯片在光纤通信系统与网络、信息处理与显示中的应用技术。与之相对应的主要研究内容为:半导体光电子材料(包括低维量子结构材料)、微纳光电子材料;新型光电子器件物理(包括器件结构设计与模拟);基于上述材料的光电子集成器件的制作工艺及其功能芯片集成技术;光电子器件及芯片在光通信、光互连、光显示、光电传感方面应用技术研究。这些研究内容构成了一个链式整体结构,即以应用为牵引、以集成器件和芯片为目标、以器件物理与材料特性的深入研究为基础的创新研究模式。

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